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　　美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美(měi)光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平(píng)对(duì)外(wài)开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络(luò)安(ān)全风险，维(wéi)护(hù)国(guó)家安(ān)全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第(dì)三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽，write的过去分词怎么用，write的过去分词英语催生更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hwrite的过去分词怎么用，write的过去分词英语é)计为75％。自长江(jiāngwrite的过去分词怎么用，write的过去分词英语)存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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