大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规(guī)，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络(luò)安全问(wèn)题危害(hài)国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审(s加湿器必须加纯净水吗，加湿器用纯净水太贵怎么办水hěn)查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前加湿器必须加纯净水吗，加湿器用纯净水太贵怎么办水(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公(gōng)司(sī)在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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