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　　美(měi)光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对(duì)美(měi)光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公(gōn莫问前程上一句是啥 莫问前程的意思g)室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入来自(zì)中国(guó)市(shì)场收入从此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 D莫问前程上一句是啥 莫问前程的意思RAM （内存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露(lù)过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波莫问前程上一句是啥 莫问前程的意思龙(lóng)第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二(èr)大(dà)和第(dì)三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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