大家好，来(lái)看一则突发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大(dà)安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国(guó)家安(ān)全(quán)，依(yī)据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de使徒行者5个卧底分别是谁，使徒行者5个卧底分别是谁)合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)使徒行者5个卧底分别是谁，使徒行者5个卧底分别是谁能(néng)会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

未经允许不得转载：绿茶通用站群 使徒行者5个卧底分别是谁，使徒行者5个卧底分别是谁