大家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的(de)结(jié)论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共(gòng)和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前(qián)高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上游设备(bèi)厂或从(cóng)中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhà唐舞桐为什么叫王冬儿 唐舞桐可以晋升一级什么n)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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