大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存在较严中国所有省份的占地面积是多少平方千米，中国所有省份占地面积排名(yán)重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室(shì)中国所有省份的占地面积是多少平方千米，中国所有省份占地面积排名依(yī)法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的(de)是防范产品网络安全(quá中国所有省份的占地面积是多少平方千米，中国所有省份占地面积排名n)问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业(yè)链(liàn)上下游建立(lì)国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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