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　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品(pǐn)未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全(quán)的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对闺蜜说他老公特别大怎么回复，闺蜜说他老公特别大怎么安慰外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称(chēng)闺蜜说他老公特别大怎么回复，闺蜜说他老公特别大怎么安慰，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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