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　　美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光(guāng)公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国(g抖音总是对你朝思暮想一圈一圈渐宽了衣裳是什么歌，总是对你朝思暮想一圈一圈渐宽了衣裳uó)内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东(dōng)京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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