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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类(lèi)平(píng)台产品家长意见怎么写最简单家长评语20字，家长意见怎么写最简单 家长评语20字以内服(fú)务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠(家长意见怎么写最简单家长评语20字，家长意见怎么写最简单 家长评语20字以内kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大(dà)供应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜家长意见怎么写最简单家长评语20字，家长意见怎么写最简单 家长评语20字以内沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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