大家好，来看(kàn)一则突发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全(quán古代陇西成纪是现在的哪里，陇西成纪怎么读)问(wèn)题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至少已经(jīng)不(bù)是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建古代陇西成纪是现在的哪里，陇西成纪怎么读立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市(shì)场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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