大(dà)家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售产(chǎn)品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)存(cún)在(zài)较(jiào)严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的(de)是(shì)防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)你是谁为了谁原唱是谁 你是谁为了谁是什么歌名tyle='color: #ff0000; line-height: 24px;'>你是谁为了谁原唱是谁 你是谁为了谁是什么歌名推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第(dì)二(èr)大和第(dì)三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致(zhì)下(xià)游客(kè)户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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