大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，<中国十大文武学校哪间好，中国十大文武学校排行榜strong>美光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风(fēng)险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入从中国十大文武学校哪间好，中国十大文武学校排行榜此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等(děng)相关(guān)公司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务占比较高(gāo)的(de)华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：绿茶通用站群 中国十大文武学校哪间好，中国十大文武学校排行榜