大(dà)家(jiā)好，来(lái)看一则突发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国(guó)家关键信息基础设(shè)施(shī)安(ān)全(quán)，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美球缺的体积怎么算，球缺的体积公式是什么 style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>球缺的体积怎么算，球缺的体积公式是什么(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存(cún)球缺的体积怎么算，球缺的体积公式是什么储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可(kě)能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

未经允许不得转载：绿茶通用站群 球缺的体积怎么算，球缺的体积公式是什么