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　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未(wèi)通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是维科幻小说的三要素是哪三要素，小说的三要素是哪三要素的内容护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也(yě)是(shì)全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等公司披(pī)露(lù)过美光等国际(jì)存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙科幻小说的三要素是哪三要素，小说的三要素是哪三要素的内容第(dì)一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三(sān)大(dà)供应商采购(gòu)金(jīn)额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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