大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全(quán)风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维暧昧期一般多久，暧昧期一般多久可以在一起了护国(guó)家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患(huàn)造成(chéng)网络安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共(gòng)和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市(shì)场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在(暧昧期一般多久，暧昧期一般多久可以在一起了zài)江(jiāng)波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金(jīn暧昧期一般多久，暧昧期一般多久可以在一起了)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进(jìn)程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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